I MOSFET CoolSiC G2 diĀ Infineon TechnologiesĀ rappresentano la prossima generazione della tecnologia SiC, aprendo un nuovo capitolo nei sistemi di alimentazione e nella conversione dell’energia nella tecnologia trench SiC MOSFET per inverter fotovoltaici, sistemi...
Vishay IntertechnologyĀ ha presentato 16 nuovi diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di terza generazione da 1 200 V. I dispositivi Vishay Semiconductors utilizzano un design PIN Schottky (MPS) unito per migliorare l’efficienza e l’affidabilitĆ nei...
IlĀ Gruppo MicrotestĀ ha perfezionato lāacquisizione di ipTEST, azienda di riferimento nello sviluppo e nella produzione di sistemi di collaudo per semiconduttori di potenza in grandi volumi, con sedi a Guildford (UK) e Ipoh (Malesia). Si tratta della quarta...
RutronikĀ offre il nuovo convertitore DC-DC isolato da 2 W serie R24C2T25 diĀ RECOM, che consente ai progettisti di utilizzare piĆ¹ tipi di transistor di potenza SiC senza modifiche di progettazione costose e dispendiose in termini di tempo. IlĀ convertitoreĀ ĆØ fornito in...
Questa serie di convertitori CC-CC non isolati ĆØ una soluzione versatile ed altamente efficiente per varie applicazioni di sistemi embedded. TOS06-05SM ĆØ un modello di punta della serie TOS06SM diĀ TRACO Power, progettato per fornire prestazioni e affidabilitĆ ...