Infineon TechnologiesĀ ha introdotto l’ultima linea di prodotti, la serie CoolGaN Transistor 700 V G4. I dispositivi mostrano un’efficienza eccezionale nella conversione della potenza nell’intervallo di tensione fino a 700 V. A differenza dei...
ROHMĀ ha sviluppato quattro modelli con moduli SiC 2 in 1 (due varianti da 750 V nominali – BSTxxxD08P4A1x4 – e due varianti da 1 200 V nominali – BSTxxxD12P4A1x1) ottimizzati per le applicazioni automobilistiche, per una potenza fino a 300 kW....
WIN SOURCE offre il controller buck LM3485MMX/NOPB PFET diĀ Texas Instruments, che si distingue come un dispositivo versatile ed altamente efficiente progettato per soddisfare le esigenze di varie applicazioni di gestione dell’alimentazione. Questo componente...
Per supportare i considerevoli requisiti di carichi di lavoro legati allāIA, il consumo energetico dei data center ĆØ in costante aumento. Di conseguenza, migliorare l’efficienza diviene unāesigenza fondamentale. In questo scenario, la potente combinazione della...
Navitas SemiconductorĀ ha introdotto una nuova gamma di MOSFET SiC Gen-3 “Fast” (G3F) da 650 V e 1 200 V. Questi MOSFET sono progettati per offrire la massima velocitĆ di commutazione, la massima efficienza e una maggiore densitĆ di potenza. Sono...