PCIM Europe 2024: Infineon guida la decarbonizzazione e la digitalizzazione per un futuro piĆ¹ verde con soluzioni innovative di semiconduttori
Al PCIM Europe 2024 (Norimberga, 11-13 giugno 2024)Ā Ā Infineon Technologies AGĀ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) presenterĆ come le sue piĆ¹ recenti soluzioni di semiconduttori, software e strumenti forniscano risposte alle sfide odierne della trasformazione verde e digitale....
Un FET SiC di 750 V, 23 milliOhm, G4 di Qorvo
L’UJ4C075023L8S ĆØ un FET SiC G4 da 750 V, 23 mohm, basato su una configurazione circuitale “cascode”, in cui un JFET SiC normalmente acceso ĆØ incapsulato insieme a un MOSFET al silicio per produrre un dispositivo FET SiC normalmente spento. Le...
MOSFET SiC in SMD D2PAK-7 da Nexperia
Nexperia ha recentemente introdotto i MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V NSF0xx120D7A0 nel packaging SMD D2PAK-7. Questi MOSFET sono disponibili in quattro diverse opzioni con valori RDSon di 30, 40, 60 e 80 mOhm. Questi interruttori vengono ampiamente...
