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Nuovo MOSFET ad alta SOA ottimizzato per applicazioni hot swap a 12 V

da | 14 Nov, 22 | News |

Alpha and Omega Semiconductor Limited ha presentato AONS30300, un MOSFET da 30 V con bassa resistenza di accensione. L’AONS30300 ĆØ caratterizzato da un’elevata capacitĆ  SOA che lo rende ideale per le applicazioni piĆ¹ esigenti, tra cui hot swap ed eFuse.

Un’elevata SOA ĆØ fondamentale nelle applicazioni di hot swap dei server, dove il MOSFET deve essere robusto per gestire efficacemente l’elevata corrente di spunto. L’AONS30300 offre un’elevata robustezza SOA sotto 10VDS con un’ampiezza di impulso di 10ms e un limite SOA di ~48V. Questo nuovo MOSFET ĆØ fornito in un package DFN 5×6 compatto con una Rd(son) massima di 0,58mOhm a una tensione applicata Gate-Source pari a 10VGS. Inoltre, l’AONS30300 ĆØ classificato a Tj=175C.

“L’alta affidabilitĆ  ĆØ una metrica essenziale nelle infrastrutture dei data center. Ecco perchĆ© i MOSFET che presentano un’elevata SOA sono fondamentali nelle odierne applicazioni hot swap, in cui i progettisti devono specificare i componenti piĆ¹ robusti e affidabili per soddisfare le esigenze dei server. Abbiamo progettato l’AONS30300 con elevate capacitĆ  di SOA e bassa resistenza di accensione per aiutare i nostri clienti a soddisfare questi impegnativi requisiti applicativi e obiettivi di uptime”, ha dichiarato Peter H. Wilson, direttore senior della linea di prodotti MOSFET di AOS.

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