QPT Limited ha sviluppato una tecnologia che consente al GaN di operare a una velocità ben superiore ai limiti di corrente di 100 kHz e fino a 20 MHz in applicazioni ad alta potenza e alta tensione che utilizzano la commutazione dura, come i sistemi di azionamento dei motori per HVAC, robotica e altro. Questa tecnica innovativa colma una lacuna critica nel mercato del GaN, dove nessun altro ha trovato una risposta valida. I transistor GaN sono fondamentali per la prossima generazione di elettronica di potenza perché possono accendersi e spegnersi a frequenze estremamente elevate. Le transizioni lente fanno perdere energia, poiché il transistor perde una quantità significativa di energia durante la commutazione, causando perdite di energia e problemi di surriscaldamento. La velocità di commutazione è tanto più elevata quanto minore è il tempo trascorso in transizione e quanto minore è la perdita di energia. A differenza dei transistor Si e SiC, che richiedono 20-50 ns per passare da acceso a spento, i transistor GaN possono farlo in soli 1-2 ns.

Tuttavia, esiste un limite pratico di 100 kHz per il materiale nelle applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza, oltre il quale i problemi di surriscaldamento e di interferenza RF diventano troppo grandi. Poiché il GaN non funziona a velocità o frequenze di commutazione elevate, dove effettivamente consente di risparmiare energia, l’approccio attuale consiste nel ridurlo a meno di 100 kHz, ottenendo così prestazioni paragonabili a quelle del carburo di silicio e annullando i vantaggi dell’uso del GaN. Per semplificare l’utilizzo da parte dei clienti e modificare i progetti attuali, QPT ha riunito i suoi progressi tecnologici in due moduli. Il qDriveTM dell’azienda, l’azionamento del gate del transistor GaN isolato più veloce, preciso, ad alta risoluzione e a basso jitter del mondo, viene utilizzato per pilotare un transistor GaN da 650 V nel modulo qGaNTM. Le tecnologie ZESTTM e qSenseTM dell’azienda sono combinate nel secondo modulo, qSensorTM. Per la prima volta, offre il rilevamento e il controllo necessari per pilotare il GaN a frequenze estremamente elevate.