Un FET SiC di 750 V, 23 milliOhm, G4 di Qorvo
L’UJ4C075023L8S ĆØ un FET SiC G4 da 750 V, 23 mohm, basato su una configurazione circuitale “cascode”, in cui un JFET SiC normalmente acceso ĆØ incapsulato insieme a un MOSFET al silicio per produrre un dispositivo FET SiC normalmente spento. Le...
MOSFET SiC in SMD D2PAK-7 da Nexperia
Nexperia ha recentemente introdotto i MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V NSF0xx120D7A0 nel packaging SMD D2PAK-7. Questi MOSFET sono disponibili in quattro diverse opzioni con valori RDSon di 30, 40, 60 e 80 mOhm. Questi interruttori vengono ampiamente...
Nuovo FET SiC di Qorvo da 44 mohm
L’UJ4C075044L8S ĆØ un FET SiC G4 da 750 V e 44 milliOhm di Rds(on). Esso si basa su una esclusiva configurazione circuitale “cascode”, in cui un JFET SiC normalmente acceso ĆØ incapsulato insieme a un MOSFET. Le caratteristiche di gate del dispositivo...
