MOSFET SiC e il controllo della temperatura
Un MOSFET in stato di conduzione lavora con una efficienza massima, in quanto la tensione Drain-Source ĆØ minima, come pure la dissipazione di potenza. Ma se esso lavora in un sistema dinamico, le veloci commutazioni lo relegano in brevissime zone lineari, che ne...
Infineon annuncia i MOSFET CoolSiC da 1200V in package TO263-7 per applicazioni automotive
Grazie alle migliori prestazioni di commutazione e alla bassa resistenza di accensione, i MOSFET CoolSiC consentono di ridurre le dimensioni dei sistemi, aumentare la densitĆ di potenza e garantire un funzionamento affidabile a temperature estreme. L’ultima...
Nuovi MOSFET con bassa resistenza di ON di ROHM per un’alta efficienza
ROHM ha sviluppato i MOSFET a canale N (da 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) delle serieĀ RS6xxxxBxĀ /Ā RH6xxxxBx, comprendenti 13 codici di prodotto, idonei per applicazioni con alimentatori da 24 V/36 V/48 V quali base station, server e motori per apparecchiature industriali...
