Prima tecnologia di wafer al nitruro di gallio (GaN) di potenza da 300 mm
Infineon Technology annuncia di essere riuscita a sviluppare nel proprio stabilimento di produzione di Villach (Austria) la prima tecnologia di...
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Toshiba Electronics EuropeĀ ha aggiunto due nuovi prodotti MOSFET di potenza a canale N da 150 V basati sul processo U-MOS X-H Trench di ultima...
OnsemiĀ annuncia di aver siglato un accordo pluriennale con il Gruppo Volkswagen, che ha scelto lāazienda come fornitore principale di una...
TDK Corporation ha introdotto la serie RGB diĀ convertitori CC-CCĀ rinforzati non isolati con potenza nominale da 400 W a 750 W. Funzionando con...
RohmĀ ha lanciato una soluzione di alimentazione, denominata LogiCoA, per apparecchiature industriali e di consumo di piccola e media potenza...
TDK CorporationĀ ha introdotto gli armadi rack GSPS 20U da 19" con potenza nominale di 90 kW alla serie TDK-Lambda GENESYS+ di alimentatori CC...
Il MOSFET IPT007N06N diĀ Infineon TechnologyĀ svolge un ruolo centrale nella moderna progettazione dell'elettronica di potenza. Questo MOSFET di...
I MOSFET CoolSiC G2 diĀ Infineon TechnologiesĀ rappresentano la prossima generazione della tecnologia SiC, aprendo un nuovo capitolo nei sistemi di...
Vishay IntertechnologyĀ ha presentato 16 nuovi diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di terza generazione da 1 200 V. I dispositivi Vishay...
IlĀ Gruppo MicrotestĀ ha perfezionato lāacquisizione di ipTEST, azienda di riferimento nello sviluppo e nella produzione di sistemi di collaudo per...
RutronikĀ offre il nuovo convertitore DC-DC isolato da 2 W serie R24C2T25 diĀ RECOM, che consente ai progettisti di utilizzare piĆ¹ tipi di...
Questa serie di convertitori CC-CC non isolati ĆØ una soluzione versatile ed altamente efficiente per varie applicazioni di sistemi embedded....