ROHMĀ ha sviluppato quattro modelli con moduli SiC 2 in 1 (due varianti da 750 V nominali - BSTxxxD08P4A1x4 - e due varianti da 1 200 V nominali -...
WIN SOURCE offre il controller buck LM3485MMX/NOPB PFET diĀ Texas Instruments, che si distingue come un dispositivo versatile ed altamente...
Per supportare i considerevoli requisiti di carichi di lavoro legati allāIA, il consumo energetico dei data center ĆØ in costante aumento. Di...
Navitas SemiconductorĀ ha introdotto una nuova gamma di MOSFET SiC Gen-3 "Fast" (G3F) da 650 V e 1 200 V. Questi MOSFET sono progettati per...
Infineon TechnologiesĀ sceglie Milano e fissa la data del 25 giugno 2024 per portare sulla scena un evento della durata di un singolo giorno...
Al PCIM Europe 2024 (Norimberga, 11-13 giugno 2024)Ā Ā Infineon Technologies AGĀ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) presenterĆ come le sue piĆ¹ recenti...
Power Integrations ha lanciato la famiglia SCALE-iFlex XLT di gate driver plug-and-play a doppio canale per il funzionamento di singoli moduli...
STMicroelectronics sta realizzando un impianto di produzione all'avanguardia a Catania dedicato alla produzione di dispositivi e moduli di...
L'UJ4C075023L8S ĆØ un FET SiC G4 da 750 V, 23 mohm, basato su una configurazione circuitale "cascode", in cui un JFET SiC normalmente acceso ĆØ...
Nexperia ha recentemente introdotto i MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V NSF0xx120D7A0 nel packaging SMD D2PAK-7. Questi MOSFET sono...
Dopo il trionfo delle precedenti edizioni, ritorna l'evento piĆ¹ atteso nel panorama elettronico italiano: Arrow Electronics World presso il...
Bourns ha presentato le serie TLVR1005T e TLVR1105T, i nuovi induttori TLVR multifase che offrono capacitĆ di corrente estremamente elevate,...