Per supportare i considerevoli requisiti di carichi di lavoro legati all’IA, il consumo energetico dei data center è in costante aumento. Di conseguenza, migliorare l’efficienza diviene un’esigenza fondamentale. In questo scenario, la potente combinazione della più recente famiglia T10 PowerTrench e dei MOSFET EliteSiC da 650 V di onsemi crea una soluzione perfetta per l’applicazione nei data center, che offre non solo un’efficienza senza pari, ma anche elevate prestazioni termiche in uno spazio ridotto.
Rispetto alla richiesta di un motore di ricerca tipico, un motore supportato dall’IA richiede oltre 10 volte la potenza normale, il che, secondo alcune stime, porterà il fabbisogno energetico dei data center, in meno di due anni, a raggiungere 1 000 TWh a livello globale1. Per elaborare una singola richiesta supportata dall’IA, l’energia viene infatti convertita quattro volte dalla rete al processore, il che può comportare una perdita del 12% circa. Utilizzando la famiglia T10 PowerTrench e la soluzione EliteSiC 650 V, i data center possono ridurre dell’1% le perdite di energia stimate. Se implementata nei data center a livello globale, questa soluzione potrebbe ridurre il consumo energetico di 10 TWh all’anno, equivalente all’energia necessaria per alimentare totalmente quasi un milione di abitazioni all’anno.
EliteSiC MOSFET da 650V offre prestazioni di commutazione superiori e minori capacità del dispositivo, consentendo di ottenere maggiore efficienza all’interno dei data center e nei sistemi di accumulo energetico. Rispetto alla generazione precedente, i nuovi MOSFET al carburo di silicio (SiC) hanno una carica di gate dimezzata, con una riduzione del 44% dell’energia immagazzinata sia nella capacità di uscita (Eoss) che nella carica di uscita (Qoss). Senza corrente di coda in fase di spegnimento e grazie alle prestazioni superiori a temperature elevate, contribuiscono inoltre a ridurre significativamente le perdite di commutazione rispetto ai MOSFET a giunzione superiore (SJ). Questo consente ai clienti di contenere le dimensioni dei componenti del sistema, aumentando la frequenza di funzionamento, con conseguente riduzione complessiva dei costi.
D’altra parte, la Famiglia T10 PowerTrench è progettata per gestire correnti elevate, caratteristica cruciale per le fasi di conversione di potenza CC-CC, e offre una maggiore densità di potenza e prestazioni termiche superiori in un ingombro compatto. Questo è possibile grazie a un design a trench con gate schermato, che vanta una carica di gate ultra-bassa e un RDS (on) inferiore a 1 milliohm. Inoltre, il diodo di corpo a recupero morbido e il Qrr più basso minimizzano efficacemente il ringing, gli overshoot e il rumore elettrico, per garantire prestazioni, affidabilità e robustezza ottimali sotto stress. La Famiglia T10 PowerTrench soddisfa anche gli standard rigorosi richiesti per le applicazioni in ambito automotive. Questa soluzione combinata soddisfa anche la rigorosa specifica di base Open Rack V3 (ORV3) richiesta dagli operatori hyperscale per supportare la prossima generazione di processori ad alta potenza.
