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I MOSFET SiC veloci Gen-3 di Navitas accelerano lo sviluppo dell’intelligenza artificiale e della ricarica dei veicoli elettrici

da | 11 Giu, 24 | News |

Navitas Semiconductor ha introdotto una nuova gamma di MOSFET SiC Gen-3 “Fast” (G3F) da 650 V e 1 200 V. Questi MOSFET sono progettati per offrire la massima velocità di commutazione, la massima efficienza e una maggiore densità di potenza.

Sono specificatamente ottimizzati per applicazioni quali alimentatori per data center AI, caricabatterie di bordo (OBC), compressori stradali veloci per veicoli elettrici e sistemi di accumulo di energia/energia solare (ESS). L’ampia selezione di prodotti comprende un’ampia gamma di contenitori standard del settore, che vanno da D2PAK-7 a TO-247-4.

Questi pacchetti sono specificatamente destinati a soddisfare i requisiti di applicazioni esigenti che richiedono elevata potenza e affidabilità. La famiglia G3F è progettata per ottenere prestazioni di commutazione superiori, portando a un miglioramento del 40% nelle cifre di merito (FOM) di commutazione hardware rispetto ai sistemi CCM TPPFC concorrenti.

Ciò consentirà di aumentare la potenza delle prossime unità di alimentazione AI (PSU) fino a un massimo di 10 kW e un aumento della potenza per rack da 30 kW a 100-120 kW. Questi MOSFET non solo superano le prestazioni dei MOSFET trench, ma mostrano anche maggiore resilienza, facilità di produzione ed efficienza in termini di costi rispetto alle opzioni concorrenti.

I MOSFET G3F offrono efficienza eccezionale e prestazioni rapide, con una conseguente riduzione significativa fino a 25 °C della temperatura del case rispetto ai prodotti SiC di altri fornitori. Inoltre, hanno una durata fino a tre volte più lunga.

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