Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

MOSFET SiC in SMD D2PAK-7 da Nexperia

da | 28 Mag, 24 | News |

Nexperia ha recentemente introdotto i MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V NSF0xx120D7A0 nel packaging SMD D2PAK-7. Questi MOSFET sono disponibili in quattro diverse opzioni con valori RDSon di 30, 40, 60 e 80 mOhm. Questi interruttori vengono ampiamente adottati in varie applicazioni industriali, tra cui la ricarica di veicoli elettrici, gruppi di continuitĆ  e inverter di sistemi solari e di accumulo di energia.

L’RDSon ĆØ una caratteristica prestazionale cruciale per i MOSFET SiC poichĆ© influisce direttamente sulle perdite di potenza durante la conduzione. Tuttavia, la maggior parte dei produttori dĆ  prioritĆ  al valore nominale ignorando la possibilitĆ  che esso aumenti di oltre il 100% a causa delle elevate temperature operative del dispositivo, con conseguenti perdite di conduzione significative.

Nexperia ha riconosciuto questo come un elemento limitante nellā€™efficienza di numerosi dispositivi SiC attualmente sul mercato. Per risolvere questo problema, Nexperia ha utilizzato la sua tecnologia di processo avanzata per garantire che i suoi nuovi MOSFET SiC forniscano un’eccezionale stabilitĆ  della temperatura. Questi MOSFET mostrano un aumento nominale di solo il 38% in RDSon in un intervallo di temperature compreso tra 25 Ā°C e 175 Ā°C, posizionandoli come leader nel settore. I MOSFET hanno una tensione di soglia molto precisa, nota come VGS(th), che consente loro di fornire una capacitĆ  di trasporto di corrente bilanciata quando accoppiati in parallelo. Inoltre, la bassa tensione diretta del diodo body (VSD) ĆØ una caratteristica che migliora la durata e l’efficacia del dispositivo.

a ā€œArrow AI Basket Challengeā€. 2 canestri da basket che, dotati di sistema di intelligenza artificiale, permetteranno ai visitatori di affinare le loro tecniche da cestisti. Form ā€“ Fiere di Parma ā€“ Accrediti (fiereparma.it)

Condividi questo articolo

Categorie

Archivi

Apri la chat
1
Ciao come possiamo aiutarti?
Ciao come possiamo aiutarti?