iDEAL Semiconductor lancia la tecnologia SuperQ
L'innovazione della tecnologia SuperQ consente al silicio di progredire pur offrendo ai clienti dispositivi piĆ¹ piccoli, piĆ¹ efficienti e meno...
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Il nuovo portafoglio comprende MOSFET a commutazione rapida e moduli integrati di potenza a mezzo ponte con la piĆ¹ bassa Rds(on) del settore per...
I nuovi gate driver possono essere utilizzati in molte applicazioni, come l'elaborazione ad alte prestazioni, gli inverter solari, i sistemi di...
EPC annuncia la disponibilitĆ dell'EPC9186, un inverter trifase per motori BLDC che utilizza il FET eGaN EPC2302. L'EPC9186 supporta un'ampia...
I nuovi MOSFET SJ da 600 V rilasciati da Magnachip hanno una RDS(on) di 44 mĪ© per i caricatori di veicoli elettrici e i server. Magnachip...
I nuovi resistori di shunt di ROHM Metal Plate da 12 W nominali, di profilo ultra-basso: ideali per i moduli di potenza Double-Sided Cooled...
Gli esperti GaN di EPC saranno presenti durante il PCIM Europe 2023, mostrando l'ultima generazione di FET e circuiti integrati GaN in un'ampia...
Il nuovo alimentatore Cosel trifase 3.5kW ad alta efficienza con raffreddamento a conduzione per applicazioni esigenti. Ingresso AC trifase/a 3...
Con la capacitĆ di commutare 30 A di corrente in un pacchetto molto compatto, sigillato in plastica, che misura 6,6 mm x 13,7 mm x 14 mm, il...
Asahi Kasei Microdevices (AKM) sta sviluppando una nuova tecnologia di rilevamento della corrente a risposta ultraveloce, ideale per applicazioni...
L'EPC7020 ĆØ un FET GaN rad-hard da 200 V, 11 mĪ©, 170 A Pulsed, in un piccolo ingombro di 12 mm2. L'EPC7003 ĆØ un FET GaN da 100 V, 30 mĪ©, 42 A...
Diodes Incorporated ha annunciato l'ultima aggiunta al suo portafoglio di prodotti in carburo di silicio (SiC): il MOSFET SiC a canale N...