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Diodes lancia il primo MOSFET SiC da 1200 V in contenitore TO247-4

da | 14 Apr, 23 | News |

Diodes Incorporated ha annunciato l’ultima aggiunta al suo portafoglio di prodotti in carburo di silicio (SiC): il MOSFET SiC a canale N DMWS120H100SM4. Per applicazioni quali azionamenti di motori industriali, inverter solari, data center e alimentatori per telecomunicazioni, convertitori DC-DC e caricabatterie per veicoli elettrici, questo dispositivo soddisfa la richiesta di maggiore efficienza e densità di potenza. Il DMWS120H100SM4 è particolarmente adatto per le applicazioni in ambienti difficili, poiché opera a una tensione elevata (1200 V) e a una corrente di drenaggio (fino a 37 A) mantenendo una bassa conduttività termica (RθJC = 0,6°C/W). Per un gate drive a 15 V, il basso valore di RDS(ON) (tipico) di questo MOSFET, pari a soli 80mΩ, riduce le perdite di conduzione e aumenta l’efficienza. Il dispositivo include anche una carica di gate di 52nC per ridurre le perdite di commutazione e la temperatura del contenitore.

Questo dispositivo è il primo MOSFET SiC confezionato in TO247-4 sul mercato. Il pin di rilevamento Kelvin aggiuntivo può essere collegato alla sorgente del dispositivo per migliorare le prestazioni di commutazione del MOSFET e consentire densità di potenza ancora più elevate. Questo MOSFET SiC è perfetto per le applicazioni di gestione dell’alimentazione ad alta efficienza, in quanto è stato realizzato per ridurre la resistenza on-state mantenendo prestazioni di commutazione superiori. Le caratteristiche principali del nuovo MOSFET DMWS120H100SM4 SiC 1200V sono le seguenti:

  • Bassa resistenza di accensione
  • Elevata classificazione BVDSS per applicazioni di potenza
  • Bassa capacità di ingresso
  • Finitura senza piombo – conforme alla normativa RoHS
  • Senza alogeni e antimonio (dispositivo “verde”)

Disponibile per applicazioni automobilistiche (parti qualificate secondo AEC-Q100/101/104/200, in grado di eseguire PPAP e prodotte in impianti certificati IATF 16949).
Le applicazioni rilevanti del MOSFET SiC a canale N da 1200 V includono le seguenti:

  • Alimentatori per datacenter e telecomunicazioni
  • Azionamenti di motori industriali
  • Convertitori DC-DC
  • Inverter solari
  • Caricabatterie per veicoli elettrici

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