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Diodes lancia il primo MOSFET SiC da 1200 V in contenitore TO247-4

da | 14 Apr, 23 | News |

Diodes Incorporated ha annunciato l’ultima aggiunta al suo portafoglio di prodotti in carburo di silicio (SiC): il MOSFET SiC a canale N DMWS120H100SM4. Per applicazioni quali azionamenti di motori industriali, inverter solari, data center e alimentatori per telecomunicazioni, convertitori DC-DC e caricabatterie per veicoli elettrici, questo dispositivo soddisfa la richiesta di maggiore efficienza e densitĆ  di potenza. Il DMWS120H100SM4 ĆØ particolarmente adatto per le applicazioni in ambienti difficili, poichĆ© opera a una tensione elevata (1200 V) e a una corrente di drenaggio (fino a 37 A) mantenendo una bassa conduttivitĆ  termica (RĪøJC = 0,6°C/W). Per un gate drive a 15 V, il basso valore di RDS(ON) (tipico) di questo MOSFET, pari a soli 80mĪ©, riduce le perdite di conduzione e aumenta l’efficienza. Il dispositivo include anche una carica di gate di 52nC per ridurre le perdite di commutazione e la temperatura del contenitore.

Questo dispositivo ĆØ il primo MOSFET SiC confezionato in TO247-4 sul mercato. Il pin di rilevamento Kelvin aggiuntivo può essere collegato alla sorgente del dispositivo per migliorare le prestazioni di commutazione del MOSFET e consentire densitĆ  di potenza ancora più elevate. Questo MOSFET SiC ĆØ perfetto per le applicazioni di gestione dell’alimentazione ad alta efficienza, in quanto ĆØ stato realizzato per ridurre la resistenza on-state mantenendo prestazioni di commutazione superiori. Le caratteristiche principali del nuovo MOSFET DMWS120H100SM4 SiC 1200V sono le seguenti:

  • Bassa resistenza di accensione
  • Elevata classificazione BVDSS per applicazioni di potenza
  • Bassa capacitĆ  di ingresso
  • Finitura senza piombo – conforme alla normativa RoHS
  • Senza alogeni e antimonio (dispositivo “verde”)

Disponibile per applicazioni automobilistiche (parti qualificate secondo AEC-Q100/101/104/200, in grado di eseguire PPAP e prodotte in impianti certificati IATF 16949).
Le applicazioni rilevanti del MOSFET SiC a canale N da 1200 V includono le seguenti:

  • Alimentatori per datacenter e telecomunicazioni
  • Azionamenti di motori industriali
  • Convertitori DC-DC
  • Inverter solari
  • Caricabatterie per veicoli elettrici
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