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Infineon presenta circuiti integrati di nuova generazione per gate driver isolati a doppio canale

da | 19 Mag, 23 | News |

I nuovi gate driver possono essere utilizzati in molte applicazioni, come l’elaborazione ad alte prestazioni, gli inverter solari, i sistemi di accumulo di energia, gli azionamenti dei motori, le applicazioni alimentate a batteria, gli SMPS per server e telecomunicazioni e la ricarica dei veicoli elettrici. Utilizzando le tecnologie più recenti, come i MOSFET di potenza a supergiunzione (silicio SJ) e carburo di silicio (SiC) nello stadio PFC totem-pole e gli interruttori di potenza al nitruro di gallio (GaN) per il funzionamento dello stadio DC-DC ad alta tensione, gli attuali alimentatori a commutazione (SMPS) da 3,3 kW possono raggiungere densità di potenza di 100 W/pollice3. La gestione digitale degli stadi PFC e DC-DC e l’utilizzo delle opzioni ottimali di pilotaggio dei gate sono essenziali per massimizzare l’efficienza e la robustezza. Per soddisfare i più moderni requisiti di progettazione e applicazione, Infineon Technologies offre l’ultima iterazione della famiglia di prodotti EiceDRIVER™, circuiti integrati di pilotaggio per gate a doppio canale e isolati galvanicamente. Questa famiglia di prodotti offre una soluzione completa per varie applicazioni, comprendendo diversi tipi di blocco di sottotensione (UVLO), livelli di isolamento e opzioni di package. Il nuovo portafoglio combina una robusta tecnologia di isolamento, conforme ai più recenti requisiti di isolamento, con parametri elettrici eccezionali, estendendo la durata del progetto per ottenere un’elevata efficienza e un funzionamento affidabile in un’ampia gamma di temperature. Questi driver possono essere utilizzati in molte applicazioni, come l’informatica ad alte prestazioni, gli inverter solari, i sistemi di accumulo di energia, gli azionamenti dei motori, le applicazioni alimentate a batteria, gli SMPS per server e telecomunicazioni e la ricarica dei veicoli elettrici.

La nuova generazione di EiceDRIVER incorpora pacchetti DSO a 14 pin per un maggiore creepage da canale a canale rispetto al suo predecessore. Presenta un tempo di avvio UVLO, un tempo morto e una protezione shoot-through più rapidi. Inoltre, possiede una tecnologia di isolamento affidabile, conforme ai più recenti standard di isolamento (VDE 0884-11, IEC 60747-17). Inoltre, è disponibile in pacchetti LGA 4×4 mm2 estremamente piccoli, che consentono di risparmiare fino al 36% dell’area nelle applicazioni a bassa tensione. Uno degli aggiornamenti più significativi è l’isolamento galvanico nei circuiti integrati del driver del gate, ora certificato IEC 60747-17. Questa certificazione garantisce che questi componenti soddisfino i più elevati standard di sicurezza e siano pronti per 20 anni di funzionamento. La possibilità di saturazione del trasformatore di rete è eliminata grazie alla riduzione del tempo di avvio dell’UVLO (2s contro 5s). I nuovi circuiti integrati sono dotati di un esclusivo circuito di bloccaggio dell’uscita, che utilizza una strategia di bloccaggio attivo dell’uscita per bloccare rapidamente il rumore in uscita anche quando il canale è “inattivo”. Quando l’alimentazione del gate driver è ancora al di sotto della soglia UVLO durante l’avvio con boot-strapped, questo è il metodo più adattabile per prevenire pericolosi incidenti di shoot-through a mezzo ponte. L’hardware dei nuovi circuiti integrati di pilotaggio dei gate include una protezione shoot-through (STP) e un controllo del tempo morto (DTC) personalizzabili. Queste caratteristiche di sicurezza di secondo livello offrono un’ulteriore sicurezza per garantire un funzionamento sicuro e affidabile. Inoltre, il design all’avanguardia del packaging elimina i pin non necessari precedentemente indicati come “no connect”. Questa caratteristica rende più semplice per i progettisti creare i loro circuiti con valori di isolamento da canale a canale più elevati e una maggiore libertà di layout della scheda.

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