GaN Systems ha annunciato un nuovo progetto di riferimento per il caricabatterie Active Clamp Flyback (ACF) da 65 W basato su GaN ad alta efficienza e densità di potenza più elevata, in collaborazione con Silanna Semiconductor. Il progetto di riferimento è ora disponibile presso Silanna Semiconductor e fornisce un design semplice per caricabatterie ACF USB-C PD GaN, riducendo i cicli di progettazione e il time to market del prodotto per i clienti.

Questa soluzione elimina le difficoltà di un progetto di topologia ACF, che in genere ha due transistor nella configurazione high-side e in quella low-side. Il nuovo progetto di riferimento del caricatore utilizza il controller SZ1130 ACF PWM di Silanna Semiconductor e il transistor di   potenza GaN GS-065-008-1-L 650V GaN di Silanna Semiconductor, con il FET high-side integrato nel controller. Questo design si traduce in costi di BoM inferiori utilizzando un trasformatore RM8 convenzionale e un MOSFET SR da 100 V sul lato secondario.

VANTAGGI E CARATTERISTICHE:

• Densità ultra elevata: 30 W / in ^ 3 senza custodia
• Alta efficienza: massima efficienza> 94%>
• Bassa temperatura: <95^◦C temperatura massima dei componenti
• Design EMI migliore: forme d’onda pulite con picchi di tensione o ringing quasi nulli
• Supporta un’ampia gamma di applicazioni: tensioni di uscita 5 V / 3 A, 9 V / 3 A, 15 V / 3 A e 20 V / 3,25 A; USB-PD

Jim Witham, CEO di GaN Systems, ha affermato che Silanna Semiconductors si adatta perfettamente ai progetti ACF da 65 W ed è un altro esempio di azienda che sviluppa una soluzione innovativa in riconoscimento della crescente importanza del GaN per gli ingegneri di potenza.

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