I MOSFET SiC veloci Gen-3 di Navitas accelerano lo sviluppo dell’intelligenza artificiale e della ricarica dei veicoli elettrici
Navitas SemiconductorĀ ha introdotto una nuova gamma di MOSFET SiC Gen-3 “Fast” (G3F) da 650 V e 1 200 V. Questi MOSFET sono progettati per offrire la massima velocitĆ di commutazione, la massima efficienza e una maggiore densitĆ di potenza. Sono...
Nuovo FET SiC di Qorvo da 44 mohm
L’UJ4C075044L8S ĆØ un FET SiC G4 da 750 V e 44 milliOhm di Rds(on). Esso si basa su una esclusiva configurazione circuitale “cascode”, in cui un JFET SiC normalmente acceso ĆØ incapsulato insieme a un MOSFET. Le caratteristiche di gate del dispositivo...
STMicroelectronics annuncia regolatori lineari industriali e automobilistici efficienti e flessibili da 40 V
I regolatori di tensione LDH40 e LDQ40 di STMicroelectronics sono progettati per applicazioni automobilistiche e industriali. Questi regolatori possono essere alimentati con una tensione di ingresso di soli 3,3 V e possono funzionare con una tensione applicata massima...
