EPC annuncia l’introduzione di due nuovi FET GaN resistenti alle radiazioni
L’EPC7020 è un FET GaN rad-hard da 200 V, 11 mΩ, 170 A Pulsed, in un piccolo ingombro di 12 mm2. L’EPC7003 è un FET GaN da 100 V, 30 mΩ, 42 A Pulsed, resistente alle radiazioni, in un piccolo ingombro di 1,87 mm2. Entrambi i dispositivi resistono a una...
Weltrend Semiconductor collabora con Transphorm per rilasciare il primo SuperGaN System-in-Package
Transphorm e Weltrend Semiconductor hanno annunciato il rilascio del loro primo System-in-Package (SiP) SuperGaN. Il WT7162RHUG24A è un circuito integrato per adattatori di potenza USB-C PD da 45 a 100 Watt che ricaricano smartphone, tablet, laptop e altri dispositivi...
Il GaN Half-Bridge Power IC massimizza le prestazioni e riduce i costi
Il nitruro di gallio è una tecnologia a semiconduttore di nuova generazione con un enorme gap di banda che è diventato essenziale per lo sviluppo dell’elettronica di potenza avanzata. È fino a 20 volte più veloce del silicio e può fornire fino a tre volte la...
