Prima tecnologia di wafer al nitruro di gallio (GaN) di potenza da 300 mm
Infineon Technology annuncia di essere riuscita a sviluppare nel proprio stabilimento di produzione di Villach (Austria) la prima tecnologia di wafer al nitruro di gallio (GaN) di potenza da 300 mm. Questa innovazione contribuirĆ a dare un nuovo impulso al mercato dei...
Infineon annuncia i transistor di potenza CoolGaN da 700 V per applicazioni consumer e industriali
Infineon TechnologiesĀ ha introdotto l’ultima linea di prodotti, la serie CoolGaN Transistor 700 V G4. I dispositivi mostrano un’efficienza eccezionale nella conversione della potenza nell’intervallo di tensione fino a 700 V. A differenza dei...
Legrand sceglie i circuiti integrati GaN di Innoscience per fornire la massima potenza di uscita nelle prese a muro
La multinazionale dellāelettricitĆ adotta InnoGaN con package TO-252 per offrire il miglior prezzo e le migliori prestazioni 23 novembre 2023 ā Innoscience Technology, azienda nata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro...
