![Infineon annuncia i transistor di potenza CoolGaN da 700 V per applicazioni consumer e industriali](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2024/06/CoolGaN.jpg)
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![Legrand sceglie i circuiti integrati GaN di Innoscience per fornire la massima potenza di uscita nelle prese a muro](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2023/11/INS227_Legrand-PR-1080x675.jpg)
Legrand sceglie i circuiti integrati GaN di Innoscience per fornire la massima potenza di uscita nelle prese a muro
La multinazionale dellāelettricitĆ adotta InnoGaN con package TO-252 per offrire il miglior prezzo e le migliori prestazioni 23 novembre 2023 ā Innoscience Technology, azienda nata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro...![QPT annuncia una tecnologia che aumenta le prestazioni di commutazione GaN](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2023/05/qpt1-1024x766-1-1024x675.jpg)
QPT annuncia una tecnologia che aumenta le prestazioni di commutazione GaN
QPT Limited ha sviluppato una tecnologia che consente al GaN di operare a una velocitĆ ben superiore ai limiti di corrente di 100 kHz e fino a 20 MHz in applicazioni ad alta potenza e alta tensione che utilizzano la commutazione dura, come i sistemi di azionamento dei...![EPC annuncia l’introduzione di due nuovi FET GaN resistenti alle radiazioni](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2023/04/epc-2.jpg)
EPC annuncia l’introduzione di due nuovi FET GaN resistenti alle radiazioni
L’EPC7020 ĆØ un FET GaN rad-hard da 200 V, 11 mĪ©, 170 A Pulsed, in un piccolo ingombro di 12 mm2. L’EPC7003 ĆØ un FET GaN da 100 V, 30 mĪ©, 42 A Pulsed, resistente alle radiazioni, in un piccolo ingombro di 1,87 mm2. Entrambi i dispositivi resistono a una...![Weltrend Semiconductor collabora con Transphorm per rilasciare il primo SuperGaN System-in-Package](https://edmelectronics.editorialedelfino.it/wp-content/uploads/sites/34/2023/03/SuperGaN.jpg)