Il più piccolo FET da 40 V e 1,1 mOhm al mondo di EPC permette di ottenere la più elevata densità di potenza
Il transistor GaN FET EPC2066 da 40 V e 1,1 mΩ presentato da EPC offre ai progettisti una soluzione significativamente più piccola e più efficiente rispetto ai dispositivi MOSFET in silicio per realizzare applicazioni ad alta prestazioni con stringenti limiti di...
FET a canale N per tempi di commutazione rapidi e gate protetto da ESD
I FET di Diotec Semiconductor MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode, ora disponibili da Mouser, offrono tempi di commutazione rapidi del gate protetto da ESD eccellenti per l’elaborazione del segnale, il convertitore di livello logico e le applicazioni del...
Il nuovo FET eGaN EPC2071 da 100 V e 2.2 mOhm
L’EPC2071 è un FET GaN da 200 V, 2.2 mOhm, 250 Apulsed, GaN. L’EPC2071 è ideale per applicazioni con requisiti esigenti per prestazioni ad alta densità di potenza, inclusi 48 V – 54 V CC-CC in ingresso per nuovi server e intelligenza artificiale. Cariche...
