Il piĆ¹ piccolo FET da 40 V e 1,1 mOhm al mondo di EPC permette di ottenere la piĆ¹ elevata densitĆ di potenza
Il transistor GaN FETĀ EPC2066Ā da 40 V e 1,1 mĪ© presentato da EPC offre ai progettisti una soluzione significativamente piĆ¹ piccola e piĆ¹ efficiente rispetto ai dispositivi MOSFET in silicio per realizzare applicazioni ad alta prestazioni con stringenti limiti di...
FET a canale N per tempi di commutazione rapidi e gate protetto da ESD
I FET di Diotec Semiconductor MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode, ora disponibili da Mouser, offrono tempi di commutazione rapidi del gate protetto da ESD eccellenti per l’elaborazione del segnale, il convertitore di livello logico e le applicazioni del...
Il nuovo FET eGaN EPC2071 da 100 V e 2.2 mOhm
L’EPC2071 ĆØ un FET GaN da 200 V, 2.2 mOhm, 250 Apulsed, GaN. L’EPC2071 ĆØ ideale per applicazioni con requisiti esigenti per prestazioni ad alta densitĆ di potenza, inclusi 48 V ā 54 V CC-CC in ingresso per nuovi server e intelligenza artificiale. Cariche...
