Innoscience lancia una nuova generazione di soluzioni BMS basate sulla tecnologia VGaNā¢ bidirezionale a 100 V
Innoscience Technology ha lanciato una nuova generazione di sistemi per la gestione delle batterie (BMS) basati sulla tecnologia VGaN. Lāaumento della domanda di viaggi ecologici e comodi, stoccaggio di energia in mobilitĆ e soluzioni di potenza compatte ha impresso...
La STMicroelectronics lancia la quarta generazione della tecnologia MOSFET in carburo di silicio (SiC) STPOWER
La tecnologia di quarta generazione stabilisce nuovi standard in termini di efficienza energetica, densitĆ di potenza e durata. La nuova tecnologia ĆØ specificamente messa a punto per gli inverter di trazione, il componente essenziale dei propulsori dei veicoli...
Transistor di potenza di nuova generazione per maggiore efficienza nei sistemi embedded
Il MOSFET IPT007N06N diĀ Infineon TechnologyĀ svolge un ruolo centrale nella moderna progettazione dell’elettronica di potenza. Questo MOSFET di potenza a canale N sfrutta la sua eccezionale resistenza nello stato di conduzione e la capacitĆ di trasporto di...
