Il MOSFET IPT007N06N diĀ Infineon TechnologyĀ svolge un ruolo centrale nella moderna progettazione dell’elettronica di potenza. Questo MOSFET di potenza a canale N sfrutta la sua eccezionale resistenza nello stato di conduzione e la capacitĆ di trasporto di...
Vishay IntertechnologyĀ ha presentato 16 nuovi diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di terza generazione da 1 200 V. I dispositivi Vishay Semiconductors utilizzano un design PIN Schottky (MPS) unito per migliorare l’efficienza e l’affidabilitĆ nei...
RutronikĀ offre il nuovo convertitore DC-DC isolato da 2 W serie R24C2T25 diĀ RECOM, che consente ai progettisti di utilizzare piĆ¹ tipi di transistor di potenza SiC senza modifiche di progettazione costose e dispendiose in termini di tempo. IlĀ convertitoreĀ ĆØ fornito in...
Questa serie di convertitori CC-CC non isolati ĆØ una soluzione versatile ed altamente efficiente per varie applicazioni di sistemi embedded. TOS06-05SM ĆØ un modello di punta della serie TOS06SM diĀ TRACO Power, progettato per fornire prestazioni e affidabilitĆ ...
Infineon TechnologiesĀ ha introdotto l’ultima linea di prodotti, la serie CoolGaN Transistor 700 V G4. I dispositivi mostrano un’efficienza eccezionale nella conversione della potenza nell’intervallo di tensione fino a 700 V. A differenza dei...