Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Ampia gamma di MOSFET per applicazioni di conversione di potenza

da | 26 Dic, 22 | News |

Mouser fornisce un’ampia gamma di MOSFET generici di Infineon Technologies. Per i progettisti che cercano MOSFET per soddisfare le esigenze di progetto, di prezzo o logistiche, il suo ampio portafoglio di MOSFET ad alta e bassa tensione offre flessibilità, valore e adattabilità per varie applicazioni. I MOSFET generici dell’azienda sono disponibili in versioni a bassa tensione per progetti fino a 250V o in opzioni ad alta tensione per progetti da 500V a 900V. I MOSFET a bassa tensione comprendono un’ampia gamma di dispositivi a canale N e P, singoli e doppi, con tensioni di breakdown drain-source comprese tra 20V e 600V. La resistenza di drain-source per questi dispositivi è valutata da 1,1mOhms a 30-Ohms e la corrente di drain continua varia da 100mA a 260A. Questi MOSFET a bassa tensione hanno una temperatura di esercizio compresa tra -55C e +175C e sono qualificati AEC-Q101. I dispositivi offrono tensioni di breakdown drain-source variabili da 500V a 900V, una resistenza drain-source da 77mOhms a 4,68-Ohms e una corrente di drain continua da 1A a 54,9A. La temperatura minima di funzionamento di questi dispositivi arriva a -40°C e la potenza dissipata varia da 5W a 500W.

Questi dispositivi sono disponibili in una gamma completa di opzioni di package, tra cui SOT-23, PQFN, SuperSO8, TO-252 (DPAK), SOT-223 e TO-220. Tutti i dispositivi sono inoltre supportati dagli strumenti di progettazione online di Infineon, dai modelli di simulazione e dalla documentazione completa di supporto al prodotto. Ideali per un’ampia gamma di applicazioni di conversione e gestione dell’energia, questi MOSFET generici possono essere combinati in progetti che richiedono capacità di protezione da batterie inverse, commutazione di energia tra fonti alternative o spegnimento di carichi non richiesti. Le applicazioni tipiche includono SMPS, caricabatterie e adattatori, illuminazione, alimentatori per TV, dispositivi server/telecom, applicazioni alimentate a batteria, controllo e azionamenti per motori e BMS.

Categorie

Archivi

Apri la chat
1
Ciao come possiamo aiutarti?
Ciao come possiamo aiutarti?