Il nuovo portafoglio comprende MOSFET a commutazione rapida e moduli integrati di potenza a mezzo ponte con la più bassa Rds(on) del settore per commutazione in pacchetti standard e maggiore efficienza. Secondo un annuncio di onsemi, i progettisti di elettronica di potenza possono ora ottenere la migliore efficienza della categoria e costi di sistema inferiori con la nuova generazione di dispositivi EliteSiC M3S in carburo di silicio (SiC) da 1200 V. Per soddisfare il crescente numero di caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici (EV) da 800 V e le applicazioni di infrastrutture energetiche come la ricarica di EV, l’energia solare e i sistemi di stoccaggio dell’energia, la nuova gamma comprende MOSFET EliteSiC e moduli che consentono velocità di commutazione più elevate.

Il portafoglio comprende anche i nuovi dispositivi EliteSiC M3S in moduli integrati di potenza (PIM) half-bridge con la più bassa Rds(on) in un pacchetto standard F2. I moduli sono perfetti per gli stadi di conversione DC-AC, AC-DC e DC-DC ad alta potenza e sono destinati alle applicazioni industriali. Offrono un design migliorato in rame ad accoppiamento diretto con livelli di integrazione più elevati, consentendo una condivisione bilanciata della corrente e una distribuzione del calore tra gli interruttori in parallelo. Nelle infrastrutture energetiche, nella ricarica rapida dei veicoli elettrici e nei gruppi di continuità (UPS), i PIM sono destinati a fornire un’elevata densità di potenza. I MOSFET EliteSiC da 1200 V sono progettati per OBC ad alta potenza fino a 22 kW e convertitori DC-DC ad alta-bassa tensione e sono qualificati per il settore automobilistico. La tecnologia M3S ha la migliore cifra di merito della categoria per quanto riguarda le perdite di commutazione ed è stata creata esclusivamente per applicazioni di commutazione ad alta velocità.