Efficient Power Conversion (EPC) ha lanciato una famiglia di transistor e circuiti integrati GaN rad-hard. L’EPC7014 (un eGaNFET da 60 V, 340 mĪ©, 4 Apulsed, rad-hard con un ingombro di 0,81 mm2) ĆØ il primo della famiglia. L’EPC7014 ha un dosaggio totale superiore a 1 Mrad e un’immunitĆ SEE per LET di 85 MeV/(mg/cm2). Questi dispositivi sono offerti in un pacchetto su scala di chip, lo stesso della famiglia commerciale eGaN FET e IC. Le versioni in pacchetto saranno disponibili da EPC Space. La tecnologia GaN di EPC consente una nuova generazione di conversione di potenza e azionamenti motori nello spazio operando a frequenze piĆ¹ elevate, efficienze piĆ¹ elevate e densitĆ di potenza maggiori che mai ottenibili prima. L’EPC7014 ĆØ disponibile per il campionamento tecnico e sarĆ pienamente disponibile per la grande distribuzione nell’ottobre 2021.
EPC lancia la famiglia GaN rad-hard
da edm electronics | 30 Giu, 21 | News | FET gan
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