I prodotti di Infineon sono destinati a consentire soluzioni rivoluzionarie anche per un’energia verde ed efficiente e per una mobilità pulita e sicura. Tra le ultime novità della gamma di prodotti MOSFET discreti CoolSiC™ da 400 V a 2 000 V, ideali per topologie di commutazione rigida e risonante. La gamma di MOSFET CoolSiC™ discreti è disponibile nelle classi di tensione da 400 V, 650 V, 750 V, 1 200 V, 1 700 V e 2 000 V, con valori nominali di resistenza in conduzione da 7 mΩ fino a 1 000 mΩ.
I MOSFET CoolSiC™ da 400 V sono stati sviluppati appositamente per l’uso nello stadio CA/CC degli alimentatori per server AI e sono ideali anche per applicazioni come i sistemi solari e di accumulo di energia. I MOSFET CoolSiC™ da 650 V offrono comportamenti di commutazione ottimizzati ad alte correnti e basse capacità finalizzati ad una varietà di applicazioni industriali quali server, telecomunicazioni e altro ancora.
La gamma di MOSFET da 750 V e 1 200 V è disponibile sia per applicazioni industriali che per il settore automobilistico. La selezione di MOSFET CoolSiC™ da 1 700 V è offerta con tipologia flyback che può essere utilizzata, per esempio, in sistemi di accumulo di energia, ricarica rapida dei veicoli elettrici, soluzioni per impianti solari. Il MOSFET CoolSiC™ da 2 000 V offre una maggiore densità di potenza e un margine di tensione, destinato ad applicazioni ad alta tensione. Ideali per le soluzioni per impianti solari.
