I FET di Diotec Semiconductor MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode, ora disponibili da Mouser, offrono tempi di commutazione rapidi del gate protetto da ESD eccellenti per l’elaborazione del segnale, il convertitore di livello logico e le applicazioni del driver. Il dispositivo offre una tensione drain-source di 60 V, una tensione gate-source di 20 V e una dissipazione di potenza di 350 mW. I dispositivi sono disponibili in un pacchetto SOT-23 e funzionano a una temperatura di giunzione da -55°C a 150°C. I dispositivi sono conformi a RoHS, REACH e minerali di conflitto.
FET a canale N per tempi di commutazione rapidi e gate protetto da ESD
da edm electronics | 30 Mag, 22 | News | canale n FET switching
Categorie
Tag
alimentatore (31)
alimentazione (23)
alta frequenza (7)
amplificatore (10)
analog devices (23)
arduino (12)
automotive (45)
bambini (10)
batteria (13)
capacità (7)
chip (9)
condensatori (13)
controller (12)
convertitore (25)
corrente (20)
corso (14)
diodi (17)
driver (11)
efficienza (32)
elettronica (45)
energia (20)
FET (8)
gan (34)
inverter (10)
iot (17)
led (11)
LTspice (9)
luce (8)
matematica (7)
maxim integrated (7)
mcu (8)
mosfet (48)
opamp (9)
potenza (91)
power (68)
raspberry (8)
regolatore (8)
sensore (21)
sensori (29)
SiC (25)
software (16)
temperatura (10)
tensione (14)
transistor (11)
trasformatore (10)