I FET di Diotec Semiconductor MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode, ora disponibili da Mouser, offrono tempi di commutazione rapidi del gate protetto da ESD eccellenti per l’elaborazione del segnale, il convertitore di livello logico e le applicazioni del driver. Il dispositivo offre una tensione drain-source di 60 V, una tensione gate-source di 20 V e una dissipazione di potenza di 350 mW. I dispositivi sono disponibili in un pacchetto SOT-23 e funzionano a una temperatura di giunzione da -55°C a 150°C. I dispositivi sono conformi a RoHS, REACH e minerali di conflitto.
FET a canale N per tempi di commutazione rapidi e gate protetto da ESD
da edm electronics | 30 Mag, 22 | News | canale n FET switching
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