Vishay Intertechnology ha lanciato un MOSFET da 60 V a canale “N” qualificato AEC-Q101 come primo dispositivo in doppio package asimmetrico PowerPAK SO-8L. Il nuovo Siliconix SQJ264EP ĆØ concepito per soddisfare la necessitĆ di risparmiare spazio e per una migliore efficienza negli alimentatori switching CC-CC per applicazioni automobilistiche. Il nuovo dispositivo combina un MOSFET in uno spazio di soli 5 mm x 6 mm, con una Rds(on) fino a 8,6 mOhm.
Confezionando due MOSFET TrenchFET in un pacchetto asimmetrico, il dispositivo finale abbassa il numero di componenti e lo spazio sulla scheda, migliorando la densitĆ di potenza rispetto alle soluzioni a MOSFET singolo. Il MOSFET del canale 1 del dispositivo fornisce una resistenza di accensione massima di 20 mOhm a 10V e una tipica carica di gate di 9,2 nC, mentre il MOSFET del canale 2 fornisce una resistenza di accensione di 8,6 mOhm a 10V e una tipica carica di gate di 19,2 nC. Il dispositivo offre ai progettisti la flessibilitĆ di configurare i transistor su diverse topologie, inclusi i convertitori DC-DC sincroni buck o boost.
Con il funzionamento ad alta temperatura fino a +175Ā° C, il doppio MOSFET offre la robustezza e l’affidabilitĆ necessarie per le applicazioni automobilistiche, inclusi i sistemi di infotainment, i display e l’illuminazione a LED, nonchĆ© le e-bike. Inoltre, i cavi del dispositivo consentono un migliore flusso di saldatura, maggiori capacitĆ AOI e maggiore affidabilitĆ a livello di scheda rispetto ai contenitori QFN singoli e doppi. Il dispositivo ĆØ testato al 100% Rg e UIS, conforme a RoHS e privo di alogeni.
