Perché Wide BandGap (WBG) e perché GaN nello specifico? Il nuovo libro di AspenCore Media, la “Guida AspenCore al nitruro di gallio: una nuova era per l’elettronica di potenza”, risponde a queste domande e ad altre ancora.

I dispositivi semiconduttori di potenza WBG in carburo di silicio e tecnologia GaN offrono vantaggi di progettazione che consentono prestazioni applicative precedentemente inimmaginabili: bassa corrente di dispersione, perdite di potenza significativamente ridotte, maggiore densità di potenza, funzionamento a frequenza più elevata e la capacità di tollerare temperature operative più elevate, il tutto con una dimensione del dispositivo più piccola di quella che si potrebbe ottenere per un equivalente in silicio. Altre caratteristiche, di non minore importanza, sono la robustezza e la maggiore affidabilità, che si traducono in una migliore aspettativa di vita complessiva del dispositivo e in una maggiore stabilità operativa.

L’efficienza energetica è ora un’iniziativa strategica in settori sempre più dipendenti dall’energia come i data center, i veicoli elettrici e la rete verde. I dispositivi basati su GaN sono la chiave per affrontare un ostacolo principale per l’espansione delle energie rinnovabili. Il GaN deve operare in modo sicuro ed efficiente in un ecosistema ad alta frequenza per svolgere il suo ruolo nel portare avanti la rivoluzione necessaria nella ricarica rapida, nella conversione di potenza e nello stoccaggio dell’energia. L’integrazione di GaN FET, GaN analogico e relativa logica produrrà un vero CI di potenza GaN.

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