Il transistor GaN FET EPC2066 da 40 V e 1,1 mΩ presentato da EPC offre ai progettisti una soluzione significativamente più piccola e più efficiente rispetto ai dispositivi MOSFET in silicio per realizzare applicazioni ad alta prestazioni con stringenti limiti di spazio disponibile.
Efficient Power Conversion Corporation, azienda leader mondiale nel settore dei circuiti integrati e transistor FET di potenza enhancement-mode in nitruro di gallio (eGaN®), ha ampliato la sua offerta di transistor a bassa tensione in nitruro di gallio con il nuovo FET GaN EPC2066 (resistenza tipica 0,8 mΩ, 40 V).
Il nuovo transistor a bassa perdita e dimensioni compatte EPC2066 è un dispositivo ideale per funzionare da commutatore nel ramo secondario dei convertitori di potenza DC-DC ad alta densità da 40 V – 60 V a 12 V che vengono richiesti nei più recenti server per applicazioni di intelligenza artificiale. È anche una soluzione ideale per il ramo secondario dei rettificatori sincroni presenti negli alimentatori a 12 V utilizzati nei server compatti per data center e negli azionamenti ad alta densità per motori elettrici da 24 V – 32 V. La capacità di funzionare ad alta frequenza ed elevato rendimento, unita al suo formato ultracompatto da 13,9 mm2, rende questo transistor FET GaN la soluzione migliore oggi disponibile per i sistemi elettronici di potenza ad alta densità.
Il transistor EPC2066 ha un formato compatibile con quello del precedentei dispositivo Generation 4 di EPC, il modello EPC2024. I miglioramenti introdotti con la tecnologia Generation 5 in termini di prodotto Area x RDS(on) permettono al transistor EPC2066 di ottenere una riduzione 27% della resistenza di conduzione a parità di area occupata.
“Il transistor EPC2066 è decisamente più piccolo di qualunque altro FET sul mercato per questo valore di resistenza”, ha commentato Alex Lidow, cofondatore e CEO di EPC. “Questo componente è il complemento perfetto del transistor EPC2071 recentemente annunciato per i convertitori LLC DC-DC utilizzati nei sistemi di alimentazione informatici ad alta densità di potenza.”
Progetto di riferimento
La scheda di riferimento EPC9174 contiene un progetto completo di convertitore LLC da 1,2 kW con uscita a 12 V e ingresso a 48 V. Utilizza il transistor EPC2071 nel ponte completo sul ramo primario e il transistor EPC2066 nel ramo secondario. I FET GaN permettono di utilizzare una frequenza di commutazione di 1 MHz e convertire 1,2 kW di potenza occupando uno spazio di soli 22,9 mm x 58,4 mm x 10 mm (densità di potenza pari a 1472 W/in3). L’efficienza di picco è del 97,3% a 550 W, mentre l’efficienza a pieno carico raggiunge il 96,3% a 12 V con corrente erogata di 100 A.
Prezzo e disponibilità
Il transistor EPC2066 eGaN FET ha un prezzo di listino unitario di $3,75 in lotti di 1K su reel.
La scheda di sviluppo EPC9174 ha un prezzo di listino di $780,00.
Sia il transistor EPC2066 che la scheda dimostrativa EPC9174 sono disponibili in pronta consegna tramite il sito Digi-Key all’indirizzo https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc
I progettisti interessati a rimpiazzare i MOSFET in silicio con una soluzione GaN possono consultare il tool di riferimento incrociato EPC GaN Power Bench, per trovare il transitor sostitutivo suggerito in base alle loro specifiche esigenze operative. Il tool di riferimento incrociato è disponibile alla pagina: https://epc-co.com/epc/DesignSupport/GaNPowerBench/CrossReferenceSearch.aspx
Informazioni su EPC
EPC è un’azienda leader nel settore dei dispositivi elettronici per la gestione della potenza basati sul nitruro di gallio (eGaN®), I transistor e i circuiti integrati eGaN FET offrono prestazioni di molto superiori a quelle dei migliiori transistor MOSFET di potenza in applicazioni quali convertitori DC-DC, tecnologia di rilevamento remoto (lidar), pilotaggio motori per eMobility, robotica, droni e satelliti a basso costo.
Visitate il nostro sito web: www.epc-co.com
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eGaN è un marchio registrato di Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
