Grazie alle migliori prestazioni di commutazione e alla bassa resistenza di accensione, i MOSFET CoolSiC consentono di ridurre le dimensioni dei sistemi, aumentare la densitĆ di potenza e garantire un funzionamento affidabile a temperature estreme. L’ultima serie di MOSFET CoolSiC da 1200 V di Infineon ĆØ disponibile in TO263-7 per applicazioni automotive. Nelle applicazioni di ricarica a bordo (OBC) e DC-DC, la generazione di MOSFET in carburo di silicio (SiC) di tipo automobilistico offre una grande densitĆ di potenza ed efficienza, consente la ricarica bidirezionale e riduce drasticamente il costo del sistema.
Grazie a perdite di commutazione inferiori del 25% rispetto alla generazione precedente, il membro della famiglia CoolSiC da 1200 V offre le migliori prestazioni della categoria. Il funzionamento ad alta frequenza ĆØ reso possibile da questo miglioramento del comportamento di commutazione, che si traduce in dimensioni di sistema ridotte e densitĆ di potenza piĆ¹ elevate. Un rapporto Crss/Ciss estremamente basso e una tensione di soglia Gate-source piĆ¹ elevata (VGS(th)) consentono uno spegnimento affidabile a VGS=0 V senza il pericolo di accensioni parassite. CiĆ² consente un pilotaggio unipolare, che riduce il costo e la complessitĆ del sistema. La bassa resistenza di accensione (RDS(on)) ĆØ un’altra caratteristica della nuova generazione, che riduce le perdite di conduzione nell’intero intervallo di temperatura, da -55Ā°C a 175Ā°C. Le prestazioni termiche del pacchetto sono notevolmente migliorate dalla tecnologia avanzata di saldatura a diffusione del chip (tecnologia .XT), che riduce la temperatura di giunzione del MOSFET SiC del 25% rispetto alla generazione precedente. Inoltre, la distanza di creepage di 5,89 mm del MOSFET soddisfa le esigenze di un sistema a 800 V e riduce al minimo lo sforzo di rivestimento. Per soddisfare le esigenze di varie applicazioni, Infineon offre una varietĆ di scelte di RDS(on), tra cui l’unico tipo da 9 m Ī© nel pacchetto TO263-7 attualmente disponibile.
