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La STMicroelectronics lancia la quarta generazione della tecnologia MOSFET in carburo di silicio (SiC) STPOWER

da | 4 Ott, 24 | News |

La tecnologia di quarta generazione stabilisce nuovi standard in termini di efficienza energetica, densità di potenza e durata.

La nuova tecnologia è specificamente messa a punto per gli inverter di trazione, il componente essenziale dei propulsori dei veicoli elettrici (EV), soddisfacendo anche le esigenze del mercato automobilistico e industriale. L’azienda intende implementare ulteriori sofisticati sviluppi della tecnologia SiC entro il 2027 come dedizione all’innovazione. In qualità di leader mondiale nei MOSFET di potenza SiC, la ST sta promuovendo l’innovazione per sfruttare l’efficienza superiore del SiC e la maggiore densità di potenza rispetto ai dispositivi al silicio.

L’attuale generazione di dispositivi SiC è progettata per migliorare le future piattaforme di inverter di trazione EV, compresi i miglioramenti in termini di dimensioni ed efficienza energetica. Nonostante l’espansione del mercato dei veicoli elettrici, persistono ostacoli nel raggiungere l’adozione mainstream, spingendo i produttori.

I sistemi di azionamento per autobus elettrici da 800 V che utilizzano carburo di silicio hanno facilitato la ricarica rapida e diminuito il peso del veicolo, consentendo ai produttori di creare versioni di lusso con autonomia di guida estesa. I più recenti dispositivi MOSFET SiC della ST, offerti nelle classi 750 V e 1 200 V, miglioreranno l’efficienza energetica e le prestazioni degli inverter di trazione per bus EV da 400 V e 800 V, estendendo i vantaggi del SiC ai veicoli elettrici di medie dimensioni e compatti, settori cruciali per facilitare l’adozione sul mercato di massa.

L’ultima generazione di tecnologia SiC è adatta a numerose applicazioni industriali ad alta potenza, come inverter solari, sistemi di accumulo di energia e data center, migliorando notevolmente l’efficienza energetica per questi usi in espansione. La ST ha finalizzato le qualifiche della classe 750 V della sua piattaforma tecnologica SiC di quarta generazione e prevede di completare le qualifiche della classe 1 200 V entro il primo trimestre del 2025. I dispositivi con tensioni nominali di 750 V e 1 200 V saranno presto disponibili in commercio, consentendo ai progettisti di soddisfare applicazioni che vanno dalle tensioni di linea CA convenzionali alle batterie e ai caricabatterie per veicoli elettrici ad alta tensione.

La quinta generazione di dispositivi di potenza SiC della ST incorporerà una nuova tecnologia ad alta densità di potenza che utilizza una struttura planare. La ST sta contemporaneamente portando avanti una scoperta rivoluzionaria che garantisce eccezionali valori di resistenza in conduzione RDS(on) a temperature elevate, insieme a ulteriori riduzioni di RDS(on) rispetto alle attuali tecnologie SiC.

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