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MOSFET a canale N compatti a bassa resistenza di ON per automotive di Toshiba

da | 23 Set, 20 | News |

Toshiba Electronics EuropeĀ ha sviluppato una serie di nuoviĀ MOSFET a canale NĀ ad alta efficienza per applicazioni automotive basate sulla tecnologia di processo U-MOSVIII-H dell’azienda. I dispositiviĀ XPN3R804NCĀ eĀ XPN7R104NCĀ hanno entrambi una tensione nominale di 40V, mentre lā€™XPN6R706NCĀ e lā€™XPN12006NCĀ supportano il funzionamento a 60V. Tutti presentano valori estremamente bassi di resistenza di ON, che raggiungono anche i 3,8mĪ© (per la versione XPN3R804NC a 10V) e sono inoltre caratterizzati da una corrente di perdita minima.

Questi MOSFET sono alloggiati in pacchetti TSON Advance (WF) a montaggio superficiale con unā€™occupazione di spazio su scheda ridotta al minimo. Hanno un ingombro di 3,3 mm Ɨ 3,6 mm (tipico) e possono sostituire i dispositivi con dimensioni pari a 5mm Ɨ 6 mm. Grazie all’inclusione di terminali con fianchi bagnati, sono inoltre agevolate le procedure di montaggio su scheda e le attivitĆ  d’ispezione ottica automatizzata (AOI).

TotalmenteĀ conformi allo standardĀ AEC-Q101, questi dispositivi MOSFET sono pensati per lā€™installazione all’interno degli ambienti automotive. Grazie alla loro compattezza intrinseca, possono contribuire in modo significativo a una riduzione delle dimensioni delle unitĆ  di controllo elettronico (ECU) dei veicoli. Altri scenari applicativi potenziali in cui possono essere utilizzati includono i regolatori di commutazione, i convertitori DC-DC e gli azionamenti per motori.

https://www.elettronicanews.it/da-toshiba-mosfet-a-canale-n-compatti-a-bassa-resistenza-di-on-per-automotiv

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