I MOSFET CoolSiC di Infineon, disponibili presso Rutronik, utilizzano un processo a semiconduttore ottimizzato e all’avanguardia che consente la minor perdita di applicazioni e la massima affidabilità durante il funzionamento. I prodotti, con classi di tensione di 1700V, 1200V e 65V e resistenze in avanti da 27mOhm fino a 1000mOhm, sono ideali per l’integrazione in applicazioni quali inverter fotovoltaici, carica batterie, accumulo di energia, azionamenti motori, UPS, alimentatori ausiliari e SMPS ab. I MOSFET in package discreti sono eccellenti per circuiti PFC, topologie bidirezionali e convertitori CC-CC o inverter CC/CA. Convincono anche per l’immunità superiore agli effetti di attivazione parassiti indesiderati e per le basse perdite dinamiche, anche a tensione di disattivazione pari a zero volt nelle topologie a ponte.

Utilizzando la tecnologia all’avanguardia CoolSiC Trench, viene abilitato un set di parametri flessibile, che viene utilizzato per implementare funzionalità specifiche dell’applicazione nel rispettivo portafoglio di prodotti. I MOSFET CoolSiC da 650 V, ad esempio, forniscono un comportamento di commutazione ottimizzato a correnti elevate e basse capacità. Sono destinati ad applicazioni industriali come server, telecomunicazioni e azionamenti per motori. La gamma MOSFET da 1200 V è ideale per applicazioni industriali e automobilistiche come caricabatterie/PFC di bordo, inverter ausiliari e UPS. La tipologia flyback caratterizza la variante 1700V, rendendola adatta per sistemi di accumulo di energia, ricarica rapida di veicoli elettrici, SMPS e soluzioni di sistema solare. E’ disponibile una gamma di circuiti integrati driver selezionati che soddisfano le esigenze di commutazione MOSFET SiC ad alta velocità. Combinati, i prodotti facilitano una maggiore efficienza, minori requisiti di raffreddamento, risparmio di spazio e peso, riduzione del numero di parti e maggiore affidabilità del sistema con una maggiore durata a costi di sistema inferiori.