Magnachip Semiconductor Corporation ha lanciato i suoi MOSFET MV da 200 V di terza generazione per i controller dei motori dei veicoli elettrici leggeri (LEV) e gli alimentatori industriali.
I nuovi MOSFET includono la tecnologia trench MOSFET di terza generazione per massimizzare l’efficienza energetica dei dispositivi di potenza. La capacitĆ ĆØ diminuita del 50% rispetto alla precedente generazione MV da 100V. Il design migliorato della cella centrale e della terminazione ha contribuito a ridurre la RDS(on) e la carica totale del gate per ottenere un’elevata FOM.
Inoltre, questi dispositivi di terza generazione sono offerti rispettivamente in dispositivi a montaggio superficiale TOLL, M2PAK e TO-220 di tipo passante, per ridurre le dimensioni del prodotto e migliorare la dissipazione del calore. Inoltre, l’efficienza energetica di essi ĆØ notevolmente favorita dalla rapiditĆ di commutazione e dall’elevata densitĆ di potenza. Grazie a una temperatura di giunzione operativa garantita da -55C a 175C e a un elevato livello di resistenza alle valanghe, questi MOSFET sono ideali per i controllori di motori LEV e gli alimentatori industriali che necessitano di un’elevata efficienza e di un’alimentazione stabile.
“Lo sviluppo di applicazioni avanzate nei settori automobilistico e industriale sta determinando la necessitĆ di MOSFET MV ad alte prestazioni”, ha dichiarato YJ Kim, CEO di Magnachip. “Magnachip continuerĆ ad aggiornare la sua linea di prodotti MV MOSFET, che vanno da 40V a 200V, consentendo ai nostri clienti di rafforzare la competitivitĆ dei loro prodotti”.
