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MOSFET SiC di terza generazione per una maggiore efficienza e dimensioni ridotte

da | 2 Set, 22 | News |

Toshiba Electronics Europe GmbH ha rilasciato cinque nuovi dispositivi MOSFET SiC di terza generazione da 650 V per apparecchiature industriali. Questi prodotti, altamente efficienti e versatili, saranno utilizzati in diverse applicazioni esigenti, tra cui SMPS e UPS per server, data center e apparecchiature di comunicazione. Troveranno inoltre applicazione nelle energie rinnovabili, compresi gli inverter fotovoltaici e i convertitori DC-DC bidirezionali, come quelli utilizzati per la ricarica dei veicoli elettrici. I nuovi TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C si basano sull’avanzato processo SiC di terza generazione dell’azienda, che ottimizza le strutture delle celle utilizzate nei dispositivi di seconda generazione.

Come risultato di questo progresso, un FoM chiave calcolato come il prodotto della resistenza di drain-source on (RDS(on)) e della carica gate-drain (Qg) per rappresentare le perdite statiche e dinamiche è migliorato di circa l’80%. Questo riduce notevolmente le perdite e consente di produrre soluzioni con densità di potenza più elevate e costi di esercizio inferiori. In comune con i dispositivi precedenti, i nuovi MOSFET di terza generazione incorporano una barriera Schottky in SiC con una bassa tensione diretta (VF) di -1,35 V (tip) per sopprimere le fluttuazioni della RDS(on), migliorando così l’affidabilità. I nuovi dispositivi possono gestire correnti (ID) fino a 100A e presentano valori di RDS(on) fino a 15mOhm. Tutti i dispositivi sono alloggiati in un contenitore TO-247, standard del settore.

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