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Nuovi GaN HEMT con caratteristiche innovative

da | 30 Mar, 22 | News |

Gli HEMT GaN ROHM da 150 V, serie GNE10xxTB (GNE1040TB) migliorano la tensione di tenuta del gate (tensione nominale gate-source) a 8 V e sono ideali da utilizzare nei circuiti di alimentazione per apparecchiature industriali, comprese stazioni base e data center insieme alla comunicazione dei dispositivi IoT. A causa della crescente domanda di sistemi server, in risposta al numero crescente di dispositivi IoT, il miglioramento dell’efficienza di conversione dell’energia e la riduzione delle dimensioni sono diventate questioni sociali cruciali, che richiedono ulteriori progressi nel settore dei dispositivi di alimentazione.

Insieme a dispositivi SiC leader del settore e dispositivi al silicio ricchi di funzionalitĆ , l’azienda ha sviluppato dispositivi GaN HEMT che realizzano un funzionamento ad alta frequenza superiore nella gamma di media tensione, consentendo all’azienda di offrire soluzioni di alimentazione per un piĆ¹ ampio assortimento di applicazioni. Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che aumenta la tensione nominale gate-source dai 6 V convenzionali a 8 V. Di conseguenza, il degrado viene interrotto, anche se si verificano sovratensioni superiori a 6 V attraverso la commutazione, contribuendo a un migliore margine di progettazione e una maggiore affidabilitĆ  nei circuiti di alimentazione. La serie ĆØ fornita in un pacchetto altamente versatile che offre una dissipazione del calore superiore e una capacitĆ  di corrente considerevole, facilitando la manipolazione durante il processo di montaggio.

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