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Nuovo FET SiC di Qorvo da 44 mohm

da | 16 Mag, 24 | News |

L’UJ4C075044L8S è un FET SiC G4 da 750 V e 44 milliOhm di Rds(on). Esso si basa su una esclusiva configurazione circuitale “cascode”, in cui un JFET SiC normalmente acceso è incapsulato insieme a un MOSFET. Le caratteristiche di gate del dispositivo consentono l’uso di driver standard, richiedendo quindi una riprogettazione minima in caso di sostituzione con un IGBT Si o un MOSFET SiC.

Il nuovo componente è disponibile nel contenitore salvaspazio MO-229 che consente l’assemblaggio automatizzato. Questo dispositivo presenta una carica di gate ultra bassa ed eccezionali caratteristiche di recupero inverso, che lo rendono ideale per la commutazione di carichi induttivi e per qualsiasi applicazione che richieda un comando di gate standard.

Le applicazioni tipiche riguardano gli alimentatori per server, telecomunicazioni e switching, i convertitori DC-DC, le stazioni di ricarica per veicoli elettrici e gli impianti fotovoltaici. Il FET SiC è caratterizzato da una Rds(on) tipica di 44 milliOhm, una temperatura massima operativa di 175°C e una bassa capacità intrinseca.

https://www.qorvo.com/products/p/UJ4C075044L8S

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