Texas Instruments ha ampliato la sua gamma di prodotti per la gestione dell’alimentazione ad alta tensione con la prossima generazione di transistor ad effetto di campo al nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 600 V (FET) per applicazioni automotive e industriali. Con un driver del gate integrato da 2,2 MHz a commutazione rapida, le nuove famiglie di
FET GaN permettono agli ingegneri di fornire il doppio della densitĆ di potenza, raggiungere un’efficienza del 99% e ridurre le dimensioni dei magneti di potenza del 59% rispetto alle soluzioni esistenti. TI ha sviluppato questi nuovi FET utilizzando i suoi materiali GaN proprietari e le proprie capacitĆ di elaborazione su un substrato GaN su silicio (Si), ottenendo un vantaggio in termini di costi e catena di fornitura rispetto a materiali di substrato paragonabili come il carburo di silicio (SiC).
L’elettrificazione dei veicoli sta trasformando l’industria automobilistica e i consumatori richiedono sempre piĆ¹ spesso veicoli con ricarica piĆ¹ rapida e maggiore autonomia. Di conseguenza, gli ingegneri si trovano di fronte alla sfida di progettare sistemi automotive compatti e leggeri senza compromettere le prestazioni del veicolo. L’utilizzo dei nuovi FET GaN automotive di TI puĆ² contribuire a ridurre le dimensioni dei caricabatterie di bordo dei veicoli elettrici (EV) e dei convertitori CC/CC fino al 50%
rispetto alle soluzioni in Si o SiC esistenti, consentendo agli ingegneri di ottenere una maggiore autonomia della batteria, una maggiore affidabilitĆ del sistema e riducendo i costi di progettazione. Nei progetti industriali, i nuovi dispositivi consentono un’elevata efficienza e densitĆ di potenza nelle
applicazioni di erogazione di potenza in CA/CC in cui ĆØ importante tenere basse le perdite e ridurre lo spazio su scheda, come nell’hyperscale e nelle piattaforme di elaborazione aziendali, nonchĆ© nei raddrizzatori per telecomunicazioni 5G.
