ROHM ha sviluppato quella che afferma essere la più alta tecnologia del settore con tensione di rottura del gate (8V) (tensione nominale gate-source) per dispositivi HEMT GaN da 150 V, ottimizzata per circuiti di alimentazione in apparecchiature industriali e di comunicazione. Con la produzione di massa di dispositivi SiC leader del settore e una combinazione di dispositivi in ​​silicio ricchi di funzionalità, l’azienda ha sviluppato dispositivi GaN che forniscono un funzionamento ad alta frequenza superiore nella gamma di media tensione. Lo sviluppo di una tecnologia che aumenta la tensione nominale gate-source consente di proporre una gamma più ampia di soluzioni di alimentazione per molte applicazioni. Poiché i dispositivi GaN offrono caratteristiche di commutazione avanzate e una resistenza ON inferiore rispetto ai dispositivi al silicio, si prevede che contribuiranno a un minor consumo energetico e a una maggiore miniaturizzazione degli alimentatori a commutazione impiegati nelle stazioni base e nei data center. Tuttavia, gli inconvenienti che incorporano una bassa tensione gate-source e una tensione di overshoot che supera il valore massimo attraverso la commutazione pongono grossi ostacoli all’affidabilità del dispositivo.

In risposta, l’azienda è riuscita ad aumentare la tensione nominale gate-source dai tipici 6V a 8V, utilizzando una struttura originale. Ciò rende possibile migliorare il margine di progettazione e migliorare l’affidabilità dei circuiti di alimentazione che utilizzano dispositivi GaN che richiedono un’elevata efficienza. Oltre a massimizzare le prestazioni del dispositivo con una bassa induttanza parassita, stanno anche sviluppando un pacchetto dedicato che facilita il montaggio e fornisce un’eccezionale dissipazione del calore, consentendo una facile sostituzione dei dispositivi in ​​silicio esistenti e semplificando la gestione durante il processo di montaggio. Esempi di applicazioni tipiche includono circuiti di conversione buck in ingresso a 48 V per data center e stazioni base; circuiti convertitori boost per il blocco amplificatore di potenza delle stazioni base; Amplificatori audio di classe D; e circuiti di azionamento LiDAR, circuiti di ricarica wireless per dispositivi portatili.