ROHM e Infineon Technologies AG firmano l’accordo di collaborazione per realizzare contenitori per semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC) per specifiche applicazioni quali caricatori di bordo, fotovoltaico, sistemi di accumulo di energia e data center AI.

L’obiettivo della decisione intrapresa mira a posizionare le due aziende reciprocamente come fonti secondarie di contenitori selezionati per dispositivi di potenza SiC aumentando così la flessibilità di progettazione e di approvvigionamento per i rispettivi clienti che potranno acquistare alloggiamenti compatibili ed intercambiabili sia da ROHM che da Infineon.

“Immagine: Fonte Infineon e Rohm” – A sinistra, Dr. Peter Wawer (Presidente della divisione Green Industrial Power di Infineon); a destra, Dr. Kazuhide Ino (Membro del Consiglio di Amministrazione, Direttore Esecutivo, responsabile del settore Power Devices di ROHM).

Per maggiori informazioni, www.infineon.com e www.rohm.com