I transistor GaN sono ideali per le nuove applicazioni di potenza. Essi sono caratterizzati da piccole dimensioni, velocitĆ operative molto alte e risultano estremamente efficienti. Con essi, qualsiasi progetto di potenza puĆ² essere realizzato senza problemi. In...
ROHM ha sviluppato quella che afferma essere la piĆ¹ alta tecnologia del settore con tensione di rottura del gate (8V) (tensione nominale gate-source) per dispositivi HEMT GaN da 150 V, ottimizzata per circuiti di alimentazione in apparecchiature industriali e di...
