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MOSFET SiC Toshiba con diodi a barriera Schottky a scacchiera

In occasione della 68esima edizione dell’International Electron Devices Meeting (IEDM 2022) dell’IEEE a San Francisco (3-7 dicembre), la giapponese Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (TDSC) – scorporata da Toshiba Corp nel 2017 – ha...

Diodo Schottky SemiQ 650V, 6A SiC

da edm electronics | 22 Ott, 21 | News

Il diodo Schottky SiC SemiQ 650V, 6A opera con perdita di commutazione pari a zero per aumentare notevolmente l’efficienza e ridurre la dissipazione del calore. Questo diodo è dotato di correzione del fattore di potenza, corrente di ripristino inversa zero,...

Diodo Schottky di potenza al carburo di silicio ad alta sovratensione 650 V, 10 A

da edm electronics | 30 Ago, 21 | News

Questo diodo SiC da 10 A, 650 V è un diodo Schottky ad altissime prestazioni. È prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale a banda larga consente la progettazione di una struttura a diodi Schottky con una potenza nominale di 650 V. A causa...

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