E’ disponibile il transistor A3G26D055N Airfast RF al nitruro di gallio (GaN) di NXP Semiconductors. Il transistor è destinato ad applicazioni di stazioni base cellulari che richiedono una capacità di larghezza di banda istantanea molto ampia. Questo componente RF Doherty simmetrico da 8 W offre un’ampia gamma di frequenze da 100 MHz a 2690 MHz. Il dispositivo fornisce un guadagno di potenza di 18 dB (tipico) a 2675 MHz con un’efficienza del 54,1%. Offre inoltre impedenze terminali elevate e una magnitudo vettoriale di errore (EVM) altamente linearizzata, che lo rendono ottimale per i massicci sistemi di antenne attive MIMO per stazioni base 5G. Le applicazioni per il transistor includono MIMO massivo 5G, W-CDMA e LTE, stazioni base e driver per macrocelle, stadio finale di piccole celle, antenne attive e telecomunicazioni generiche.
Transistor GaN per antenne MIMO 5G per un’ampia gamma di frequenze
da edm electronics | 27 Set, 21 | News | 5g gan transistor
Categorie
Tag
alimentatore (31)
alimentazione (21)
amplificatore (10)
analog devices (23)
arduino (12)
automotive (44)
bambini (10)
batteria (13)
buck (7)
chip (9)
condensatori (13)
controller (12)
convertitore (24)
corrente (20)
corso (14)
diodi (17)
driver (11)
efficienza (30)
elettronica (38)
energia (19)
FET (8)
gan (30)
inverter (10)
iot (17)
led (11)
LTspice (9)
luce (8)
matematica (7)
maxim integrated (7)
mcu (8)
mosfet (44)
opamp (9)
pcb (7)
potenza (86)
power (64)
raspberry (8)
regolatore (8)
sensore (21)
sensori (28)
SiC (25)
software (16)
temperatura (10)
tensione (13)
transistor (10)
trasformatore (9)