Panoramica del prodotto

Descrizione

Questo diodo SiC da 10 A, 1200 V è un diodo Schottky di potenza ad altissime prestazioni. È prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale a banda larga consente la progettazione di una struttura a diodi Schottky con una tensione nominale di 1200 V. A causa della costruzione Schottky, non viene mostrato alcun recupero allo spegnimento e i ringing pattern sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Alloggiato in D2PAKHV, questo diodo è perfettamente adatto per un utilizzo in applicazioni PFC, in OBC, DC / DC per EV, facilitando la conformità a IEC-60664-1.
L’STPSC10H12G2-TR aumenterà le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. La sua elevata capacità di sovratensione garantisce una buona robustezza durante le fasi transitorie.

Caratteristiche

• Recupero inverso nullo o trascurabile
• Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
• Robusta periferia ad alta tensione
• _{Tj di esercizio} da -40 ° C a 175 ° C
• FV bassa
• D²PAK HV distanza di dispersione (anodo-catodo) = 5,38 mm min.
• Conforme a ECOPACK2