L’EPC7007 è un FET eGaN rad-hard da 200 V, 25 mOhm, 80 Apulsed, con un ingombro ridotto di 5,76 mm2. L’EPC7007 ha una dose totale superiore a 1 Mrad e un’immunità SEE per LET di 85 MeV/(mg/cm2). Questi dispositivi sono offerti in un pacchetto a scala di chip, lo stesso della famiglia commerciale eGaN FET e IC. Le versioni in pacchetto saranno disponibili da EPC Space.
Rispetto ai dispositivi in silicio rad-hard con RDson simili, l’EPC7007 offre QG e QGD 40 volte più piccoli, zero reverse recovery (QRR). e la dimensione è 40 volte più piccola. Con una maggiore resistenza alla rottura, una minore carica del gate, minori perdite di commutazione, una migliore conduttività termica e una resistenza di accensione molto bassa, i dispositivi di potenza basati su GaN superano significativamente i dispositivi a base di silicio e consentono frequenze di commutazione più elevate con conseguente densità di potenza più elevate, maggiori efficienze e circuiti più compatti e più leggeri per missioni spaziali critiche. I dispositivi GaN supportano anche livelli di radiazione totale più elevati e livelli SEE LET rispetto alle soluzioni di silicio. Le applicazioni che beneficiano delle prestazioni e della rapida implementazione dell’EPC7007 includono alimentazione CC-CC, azionamenti motore, lidar, sonde profonde e propulsori ionici per applicazioni spaziali, satelliti e avionica.
