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Il nuovo FET eGaN EPC2071 da 100 V e 2.2 mOhm

da | 13 Mag, 22 | News |

L’EPC2071 è un FET GaN da 200 V, 2.2 mOhm, 250 Apulsed, GaN. L’EPC2071 è ideale per applicazioni con requisiti esigenti per prestazioni ad alta densità di potenza, inclusi 48 V – 54 V CC-CC in ingresso per nuovi server e intelligenza artificiale. Cariche di gate inferiori, QGD e zero perdite di recupero inverso consentono operazioni ad alta frequenza di 1 MHz e oltre e un’elevata efficienza in un ingombro minimo di 10,2 mm2 per una densità di potenza all’avanguardia. L’EPC2071 FET è compatibile con la precedente famiglia di prodotti EPC di quarta generazione: EPC2021, EPC2022, EPC2206. Il miglioramento della generazione 5 in Area x RDS(on) conferisce all’EPC2071 la stessa resistenza all’attivazione della generazione precedente con una dimensione inferiore del 26%.

L’EPC2071 è ideale per azionamenti a motore BLDC, inclusi e-bike, e-scooter, robot, droni e utensili elettrici. L’EPC2071 è 1/3 delle dimensioni di un MOSFET al silicio con lo stesso RDS(on), QG è 1/4 di quello del MOSFET e il tempo morto può essere ridotto da 500 ns a 20 ns per ottimizzare l’efficienza del motore e dell’inverter e ridurre il rumore acustico.

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