Infineon Technologies ha introdotto l’ultima linea di prodotti, la serie CoolGaN Transistor 700 V G4. I dispositivi mostrano un’efficienza eccezionale nella conversione della potenza nell’intervallo di tensione fino a 700 V. A differenza dei dispositivi GaN della concorrenza, questi transistor presentano cifre di merito in ingresso e in uscita superiori del 20%, con conseguente maggiore efficienza, minori perdite di potenza e soluzioni più economiche.

La sinergia delle proprietà elettriche garantisce una funzionalità ottimale in varie applicazioni, tra cui caricabatterie e adattatori per notebook, alimentatori per data center, convertitori di energia rinnovabile e accumulatori di batterie. La serie di prodotti è composta da 13 dispositivi con una tensione nominale di 700 V e un intervallo di resistenza che va da 20 mOhm a 315 mOhm. Il maggiore livello di dettaglio nelle specifiche del dispositivo, insieme a una vasta selezione di alternative di packaging standard del settore come PDFN, TOLL e TOLT, consentono la selezione della resistenza RDS(on) e dei package in base alle esigenze applicative specifiche. Di conseguenza, le prestazioni dei sistemi elettrico e termico possono essere massimizzate e implementate nel modo più conveniente. I dispositivi hanno tempi di attivazione e disattivazione rapidi, nonché perdite trascurabili in fase di commutazione.

La gamma di resistenza in conduzione consente sistemi di alimentazione che vanno da 20 W a 25 000 W. Inoltre, la modalità E da 700 V, che vanta la tensione transitoria più alta di 850 V del settore, migliora l’affidabilità dell’intero sistema fornendo prestazioni superiori resistenza alle irregolarità nell’ambiente dell’utente, come le sovratensioni.