Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-5@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-6@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-8@8x-100-scaled
Tavola-disegno-3@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
Tavola-disegno-5-copia-7@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Magnachip presenta un nuovo IGBT da 650 V per inverter solari

da | 1 Lug, 22 | News |

Magnachip Semiconductor Corporation ha annunciato di aver presentato un nuovo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) da 650 V per inverter solari. PoichĆ© gli impatti ambientali dei cambiamenti climatici stanno diventando piĆ¹ gravi, l’uso di energia rinnovabile come l’energia solare continua ad espandersi a livello globale per ridurre le emissioni di carbonio. Omdia, una societĆ  di ricerche di mercato globale, stima che il mercato globale degli IGBT nel settore delle energie rinnovabili crescerĆ  del 15% all’anno dal 2022 al 2025. Nel marzo 2022, Magnachip ha sviluppato un nuovo IGBT da 650 V costruito con l’avanzata “tecnologia field stop trench” per velocitĆ  di commutazione elevata e tensioni di rottura elevate e l’azienda ne avvierĆ  la produzione in serie questo mese. La densitĆ  di corrente di questo nuovo IGBT da 650 V ĆØ stata migliorata del 30% rispetto alla generazione precedente adottando la tecnologia piĆ¹ recente. Questo IGBT ĆØ inoltre progettato per fornire un tempo minimo di resistenza al cortocircuito di 5 Āµs ed ĆØ ottimizzato per la commutazione in parallelo grazie al suo coefficiente di temperatura positivo. La commutazione in parallelo di questo IGBT aumenterĆ  la corrente di carico e quindi la massima potenza di uscita.

Inoltre, l’IGBT da 650 V ĆØ dotato di diodi antiparalleli per una commutazione rapida e una bassa perdita di commutazione, garantendo al contempo una temperatura di giunzione massima di esercizio di 175Ā°C. Basato sugli standard emessi dal Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), questo nuovo IGBT puĆ² essere ampiamente utilizzato per applicazioni che richiedono un livello di potenza rigoroso e un’elevata efficienza, come inverter e convertitori boost solare, gruppi di continuitĆ  e inverter di potenza universali. “Il primo IGBT di Magnachip ĆØ stato introdotto nel 2013 e da allora ci siamo impegnati a sviluppare prodotti ad alta efficienza per una varietĆ  di mercati, rafforzando al contempo la nostra presenza in tutto il mondo”, ha affermato YJ Kim, CEO di Magnachip. “Con questo nuovo prodotto, stiamo ampliando i nostri sforzi per fornire prodotti ad alte prestazioni per il mercato delle energie rinnovabili ecocompatibili”.

Condividi questo articolo

Categorie

Archivi

Apri la chat
1
Ciao come possiamo aiutarti?
Ciao come possiamo aiutarti?