Renesas presenta gli IGBT Si di nuova generazione per inverter per veicoli elettrici
Renesas Electronics Corporation, fornitore leader di soluzioni avanzate per semiconduttori, ha annunciato lo sviluppo di una nuova generazione di Si-IGBT (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) che sarà offerta in un ingombro ridotto pur fornendo basse perdite di...
Magnachip presenta un nuovo IGBT da 650 V per inverter solari
Magnachip Semiconductor Corporation ha annunciato di aver presentato un nuovo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) da 650 V per inverter solari. Poiché gli impatti ambientali dei cambiamenti climatici stanno diventando più gravi, l’uso di energia...
Nuovi IGBT automobilistici per inverter a trazione discreta
Infineon Technologies AG lancia i nuovi IGBT EDT2 in un pacchetto TO247PLUS. I dispositivi sono ottimizzati per inverter a trazione discreta per autoveicoli ed espandono il portafoglio di dispositivi discreti ad alta tensione per applicazioni automobilistiche. Grazie...
Driver isolati per IGBT fino a 3,3 kV
Power Integrations ha introdotto una versione singola dei gate-driver Scale-iFlex a doppio canale per moduli IGBT fino a 3,3 kV, dimensionati per adattarsi ai “nuovi moduli IGBT doppi” da 100 x 140 mm. Le applicazioni riguardano il settore della...Articoli recenti
