I MOSFET in carburo di silicio (SiC) onsemi M3S 1200V sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con azionamento di tensione di gate negativo e picchi di spegnimento sul gate. I MOSFET onsemi M3S da 1200 V offrono prestazioni ottimali se pilotati con un gate drive da 18 V, ma funzionano bene anche con un gate drive da 15 V. L’M3S offre basse perdite di commutazione ed ĆØ alloggiato in un contenitore TO247-4LD per una bassa induttanza della sorgente comune.
